High Purity Sic Silicon Carbide Crucible Graphite Crucibles Sagger Tank
Silicon Carbide Crucible စွမ်းဆောင်ရည်
| ကန့်သတ်ချက် | ဒေ | ကန့်သတ်ချက် | ဒေ |
| SiC | ≥85% | အအေးဒဏ်ခံနိုင်စွမ်း | ≥100MPa |
| SiO₂ | ≤10% | ထင်ရှားသော Porosity | ≤%18 |
| Fe₂O₃ | <1% | အပူချိန်ခုခံမှု | ≥1700°C |
| အစုလိုက်သိပ်သည်းမှု | ≥2.60 g/cm³ | ကျွန်ုပ်တို့သည် ဖောက်သည်လိုအပ်ချက်အရ ထုတ်လုပ်နိုင်သည်။ | |
ဖော်ပြချက်
- အထူးကောင်းမွန်သော အပူကူးယူနိုင်မှု--- ၎င်းတွင် အထူးကောင်းမွန်သော အပူနှင့်လျှပ်စစ်ကူးယူနိုင်စွမ်း၊ stainless steel ထက် 4 ဆပိုမိုမြင့်မားပြီး၊ ကာဗွန်သံမဏိထက် 2 ဆပိုမိုမြင့်မားပြီး ယေဘုယျသတ္ထုမဟုတ်သည့်ထက် အဆ 100 ပိုမြင့်မားသည်။
- မြင့်မားသောအပူချိန်ခံနိုင်ရည်--- Graphite သည်လက်ရှိတွင်သိကြသည့်အပူဒဏ်ခံပစ္စည်းအများစုထဲမှတစ်ခုဖြစ်ပြီး၊ ဤထုတ်ကုန်သည်အပူချိန် 1750 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိမြင့်မားသောအပူချိန်ကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
- သာလွန်ကောင်းမွန်သော သံချေးတက်ခြင်း--- ၎င်းသည် ကောင်းမွန်သောဓာတုတည်ငြိမ်မှု၊ အယ်ကာလီ သို့မဟုတ် အက်ဆစ်ခံနိုင်ရည်နှင့် ချေးခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
- ကြာရှည်ခံနိုင်မှု--- ၎င်းသည် အပူချိန်မြင့်မားမှုနှင့် အဆိပ်သင့်သောပတ်ဝန်းကျင်များ၏ ပြင်းထန်သောအခြေအနေများကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး အကောင်းဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် တာရှည်ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို သေချာစေရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ဤအရည်အသွေးသည် တသမတ်တည်းနှင့် တိကျသောရလဒ်များလိုအပ်သော အရည်ကျိုခြင်းနှင့် သန့်စင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အသုံးပြုရန်အတွက် လူကြိုက်များသောရွေးချယ်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။
- အပူဒဏ်ကို ခံနိုင်ရည်မြင့်မားခြင်း--- ကွဲအက်ခြင်း သို့မဟုတ် ကွဲအက်ခြင်းမရှိဘဲ အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုများကို လျင်မြန်စွာ ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး မကြာခဏ အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုများကို ကြုံတွေ့ရသည့် မီးဖိုများတွင် အသုံးပြုရန် သင့်လျော်ပါသည်။
လျှောက်လွှာများ
Silicon Carbide Graphite Crucible သည် ဓာတုစက်ရုံများ၊ သံနှင့်သံမဏိထုတ်လုပ်သူများ၊ photovoltaic ပါဝါထုတ်လုပ်သူများ၊ နှင့် နျူကလီးယားဓာတ်အားပေးစက်များအတွက် ရေပန်းစားသောရွေးချယ်မှုတစ်ခုဖြစ်လာသည်။၎င်း၏အလွန်ကောင်းမွန်သောအပူစီးကူးမှု၊ အပူချိန်မြင့်မားမှု၊ သာလွန်ကောင်းမွန်သောချေးခံနိုင်ရည်နှင့် အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်တို့ကဲ့သို့သော ကျယ်ပြန့်သောမီးဖိုများတွင်လည်း အသုံးပြုရန်သင့်တော်ပါသည်။
Gufan အားသာချက်များ
ကျွန်ုပ်တို့၏ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဂရပ်ဖိုက်ကို အမျိုးမျိုးသောအသုံးချမှုများအတွက် အရွယ်အစားနှင့် ပုံသဏ္ဍာန်အမျိုးမျိုးဖြင့် ရရှိနိုင်ပါသည်။ဖောက်သည်များအတွက် ၎င်းတို့၏ သီးခြားလိုအပ်ချက်များအကြောင်း၊ ၎င်းတို့၏ လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် ထိရောက်မှုနှင့် တိကျမှုတို့ကို သေချာစေရန်အတွက် ပြီးပြည့်စုံသော crucible ကို ပံ့ပိုးပေးရန် ကျွန်ုပ်တို့ အကောင်းဆုံးကြိုးစားလိုပါသည်။
Graphite Crucible အတွက် လမ်းညွှန်ချက်များနှင့် သတိပေးချက်များ
Graphite crucible သည် စက်မှုလုပ်ငန်းများအတွက် ထူးခြားသောထုတ်ကုန်တစ်ခုဖြစ်သည်။graphite crucible ၏ အသက်ရှည်မှုနှင့် ထိရောက်မှုရှိသော စွမ်းဆောင်ရည်ကို သေချာစေရန် ဤအရေးကြီးသော ညွှန်ကြားချက်များနှင့် ကြိုတင်ကာကွယ်မှုများကို လိုက်နာပါ။
- graphite crucible သို့ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ထိခိုက်မှုမှန်သမျှကို ရှောင်ကြဉ်ပါ။
- အမြင့်တစ်နေရာမှ ပြုတ်ကျခြင်း သို့မဟုတ် ထိမှန်ခြင်းမှ ရှောင်ကြဉ်ပါ။
- ဂရပ်ဖိုက်များကို အစိုဓာတ်ရှိသောနေရာတွင် ခွာထားပါ။
- Graphite crucible များသည် အခြောက်ခံပြီးနောက် ရေစိုခံခြင်းမရှိပါ။
- အကြွင်းအကျန်များကို သန့်စင်ရန် ပါးစပ်အဝိုင်း သို့မဟုတ် ကော်ဖတ်မှုန့်ကို အသုံးပြုပါ။
- အကြွင်းအကျန်များကို သန့်စင်ရန် ပါးစပ်အဝိုင်း သို့မဟုတ် ကော်ဖတ်မှုန့်ကို အသုံးပြုပါ။
- ပထမဦးဆုံးအကြိမ် Crucible ကိုအသုံးပြု၍ နှေးနှေးယူ၍ အချိန်ကြာလာသည်နှင့်အမျှ အပူကို ဖြည်းဖြည်းချင်းတိုးပေးပါ။
ဆက်စပ်ထုတ်ကုန်များ
-
အရည်ပျော်ရန်အတွက် Silicon Carbide Graphite Crucible...
Silicon Carbide Crucible Property Item Sic Content Tempeatue Esistance Cabon Content Appaent Poosity Bulk Density Data ≥48% ≥1650°C ≥30%-45% ≤%18-%25 ≥1.9-2.1g/cm3 မှတ်ချက်- အကြောင်းအရာကို ကျွန်ုပ်တို့ ချိန်ညှိနိုင်ပါသည်။ တစ်ခုစီသည် cucible accoding ဓလေ့ထုံးတမ်းများ၏ equiement ကိုထုတ်လုပ်ရန် mateial တစ်ခုစီဖြစ်သည်။Silicon Cabide Cucible Advantages High Stength Good themal conductivity Low themal expansion High heat esistance High stength...
-
သတ္တု အရည်ပျော်ခြင်းအတွက် ဆီလီကွန်ဂရပ်ဖိုက် Crucible...
ရွှံ့စေးဂရပ်ဖိုက် Crucible SIC C Modulus အတွက် ပေါက်ပြဲအပူချိန် ခုခံမှု အစုလိုက်သိပ်သည်းမှု ထင်ရှားသော Porosity ≥ 40% ≥ 35% ≥10Mpa 1790℃ ≥2.2 G/CM3 ≤15% မှတ်ချက်- crucible ကိုထုတ်လုပ်ရန် ကုန်ကြမ်းတစ်ခုစီ၏ အကြောင်းအရာကို ချိန်ညှိနိုင်သည်။ ဖောက်သည်များ၏လိုအပ်ချက်အရ။ဖော်ပြချက် အဆိုပါ Crucibles များတွင် အသုံးပြုသော ဂရပ်ဖိုက်ကို အများအားဖြင့် ပြုလုပ်သည်...
-
အရည်ပျော်ရန်အတွက် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဆစ်ဂရပ်ဖိုက်...
Silicon Carbide Crucible Performance Parameter ဒေတာ ကန့်သတ်ချက်များ Data SiC ≥85% Cold Crushing Strength ≥100MPa SiO₂ ≤10% Apparent Porosity ≤%18 Fe₂O₃ <1% Temperature Resistance ≥1700°C Bulk Density ≥2.60 g/cm ဖောက်သည် လိုအပ်ချက်အရ ထုတ်လုပ်နိုင်သည် အဆင့်မြင့် သတ္တုဓာတ်တစ်မျိုးဖြစ်တဲ့ Silicon carbide...
