သတ္တုများ အရည်ပျော်ခြင်းအတွက် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ဂရပ်ဖိုက် Crucible
Silicon Carbide Crucible Property
| ကုသိုလ်ကံ | အဆစ်အကြောင်းအရာ | အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည် | ကာဘွန် အကြောင်းအရာ | Poosity ပေါ်လာသည်။ | အစုလိုက်သိပ်သည်းမှု |
| ဒေ | ≥48% | ≥1650°C | ≥30%-45% | ≤%18-%25 | ≥1.9-2.1g/cm3 |
| မှတ်ချက်- cucible accoding Customes ၏ equiment ကို ဖန်တီးရန်အတွက် aw mateial တစ်ခုစီ၏ အကြောင်းအရာကို ချိန်ညှိနိုင်ပါသည်။ | |||||
Silicon Cabide Cucible ၏ အားသာချက်များ
- မြင့်မားသောခွန်အား
- Themal conductivity ကောင်းတယ်။
- ကဏ္ဍချဲ့ထွင်မှု နည်းပါးခြင်း။
- မြင့်မားသောအပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်
- မြင့်မားသောခွန်အား
Silicon Graphite Crucibles အသုံးချမှုများ
ဆီလီကွန်ဂရပ်ဖိုက် crucible ၏ သာလွန်ကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်သည် ကြေးနီ၊ ကြေးဝါ၊ ရွှေ၊ ငွေ၊ ဇင့် နှင့် ခဲကဲ့သို့သော သတ္တုမဟုတ်သော အရည်ပျော်ခြင်းအတွက် မှန်ကန်သောကိရိယာများ ဖြစ်လာစေပါသည်။
- ကြေးနီကျိုခြင်း။- ဆီလီကွန်ဂရပ်ဖိုက်များသည် ကြေးနီနှင့် အခြားသတ္တုမဟုတ်သော သတ္တုများကို ရောစပ်ရန်အတွက် စံပြဖြစ်သည်။၎င်းတို့၏ မြင့်မားသော အပူဒဏ်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် ၎င်းတို့သည် ကွဲအက်ခြင်း သို့မဟုတ် ကွဲအက်ခြင်းမရှိဘဲ ကြေးနီကျိုခြင်းအတွက် လိုအပ်သော အလွန်မြင့်မားသော အပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
- ရွှေငွေ ရောစပ်ခြင်း။- Silicon graphite crucibles များသည် ရွှေနှင့်ငွေကို ရောစပ်ရန်အတွက် ပြီးပြည့်စုံသည်။၎င်းတို့၏ မြင့်မားသော သန့်စင်မှုအဆင့်သည် အဖိုးတန်သတ္တုများကို ညစ်ညမ်းမှုအနည်းဆုံးဖြစ်စေကြောင်း သေချာစေပြီး အရည်အသွေးပိုမြင့်သည့် ထုတ်ကုန်ကို ရရှိစေသည်။
- ဇင့်နှင့် ခဲကျိုခြင်း။- Silicon graphite crucibles များသည် ဇင့်နှင့် ခဲများကို ရောစပ်ရန်အတွက် အထူးကောင်းမွန်ပါသည်။၎င်းတို့၏ တာရှည်ခံမှုကြောင့် ၎င်းတို့သည် ကွဲအက်ခြင်း သို့မဟုတ် ကွဲအက်ခြင်းမရှိဘဲ ဤလုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် လိုအပ်သော ထပ်ခါတလဲလဲ အပူနှင့် အအေးစက်များကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
Graphite Crucible အတွက် လမ်းညွှန်ချက်များနှင့် သတိပေးချက်များ
Graphite crucible သည် စက်မှုလုပ်ငန်းများအတွက် ထူးခြားသောထုတ်ကုန်တစ်ခုဖြစ်သည်။graphite crucible ၏ အသက်ရှည်မှုနှင့် ထိရောက်မှုရှိသော စွမ်းဆောင်ရည်ကို သေချာစေရန် ဤအရေးကြီးသော ညွှန်ကြားချက်များနှင့် ကြိုတင်ကာကွယ်မှုများကို လိုက်နာပါ။
- graphite crucible သို့ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ထိခိုက်မှုမှန်သမျှကို ရှောင်ကြဉ်ပါ။
- အမြင့်တစ်နေရာမှ ပြုတ်ကျခြင်း သို့မဟုတ် ထိမှန်ခြင်းမှ ရှောင်ကြဉ်ပါ။
- ဂရပ်ဖိုက်များကို အစိုဓာတ်ရှိသောနေရာတွင် ခွာထားပါ။
- Graphite crucible များသည် အခြောက်ခံပြီးနောက် ရေစိုခံခြင်းမရှိပါ။
- အကြွင်းအကျန်များကို သန့်စင်ရန် ပါးစပ်အဝိုင်း သို့မဟုတ် ကော်ဖတ်မှုန့်ကို အသုံးပြုပါ။
- အကြွင်းအကျန်များကို သန့်စင်ရန် ပါးစပ်အဝိုင်း သို့မဟုတ် ကော်ဖတ်မှုန့်ကို အသုံးပြုပါ။
- ပထမဦးဆုံးအကြိမ် Crucible ကိုအသုံးပြု၍ နှေးနှေးယူ၍ အချိန်ကြာလာသည်နှင့်အမျှ အပူကို ဖြည်းဖြည်းချင်းတိုးပေးပါ။
သေချာပါသည်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် သေးငယ်သောအမှာစာကို လက်ခံပါသည်၊ ကျွန်ုပ်တို့အား ဆက်သွယ်ရန် ကျေးဇူးပြု၍ ကျွန်ုပ်တို့၏ဖောက်သည်များကို ပိုမိုအဆင်ပြေစေရန် ပံ့ပိုးပေးလိုပါသည်။
အရွယ်အစား၊ အရေအတွက် အစရှိသည်တို့ကဲ့သို့ သင်၏အသေးစိတ်လိုအပ်ချက်များကို ရရှိပြီးနောက် 24 နာရီအတွင်း ကိုးကားဖော်ပြပါသည်။ ၎င်းသည် အရေးတကြီးမှာယူမှုဖြစ်ပါက၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် သင်၏အမှာစာခေါ်ဆိုမှုအတွက် ကျေးဇူးတင်ပါသည်။
ပရော်ဖက်ရှင်နယ် နည်းပညာအဖွဲ့များနှင့် အင်ဂျင်နီယာများ အားလုံးက သင့်အား စိတ်ကျေနပ်မှုပေးနိုင်ပါသည်။
ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တိုင်းအတွက်၊ ကျွန်ုပ်တို့တွင် ဓာတုဖွဲ့စည်းမှုနှင့် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများအတွက် ပြီးပြည့်စုံသော QC စနစ်ရှိသည်။ ထုတ်လုပ်ပြီးနောက်၊ ကုန်ပစ္စည်းအားလုံးကို စမ်းသပ်မည်ဖြစ်သည်။
ပရော်ဖက်ရှင်နယ် နည်းပညာအဖွဲ့များနှင့် အင်ဂျင်နီယာများ အားလုံးက သင့်အား စိတ်ကျေနပ်မှုပေးနိုင်ပါသည်။
ဆက်စပ်ထုတ်ကုန်များ
-
အရည်ပျော်ရန်အတွက် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဆစ်ဂရပ်ဖိုက်...
Silicon Carbide Crucible Performance Parameter ဒေတာ ကန့်သတ်ချက်များ Data SiC ≥85% Cold Crushing Strength ≥100MPa SiO₂ ≤10% Apparent Porosity ≤%18 Fe₂O₃ <1% Temperature Resistance ≥1700°C Bulk Density ≥2.60 g/cm ဖောက်သည် လိုအပ်ချက်အရ ထုတ်လုပ်နိုင်သည် အဆင့်မြင့် သတ္တုဓာတ်တစ်မျိုးဖြစ်တဲ့ Silicon carbide...
-
သတ္တု အရည်ပျော်ခြင်းအတွက် ဆီလီကွန်ဂရပ်ဖိုက် Crucible...
ရွှံ့စေးဂရပ်ဖိုက် Crucible SIC C Modulus အတွက် ပေါက်ပြဲအပူချိန် ခုခံမှု အစုလိုက်သိပ်သည်းမှု ထင်ရှားသော Porosity ≥ 40% ≥ 35% ≥10Mpa 1790℃ ≥2.2 G/CM3 ≤15% မှတ်ချက်- crucible ကိုထုတ်လုပ်ရန် ကုန်ကြမ်းတစ်ခုစီ၏ အကြောင်းအရာကို ချိန်ညှိနိုင်သည်။ ဖောက်သည်များ၏လိုအပ်ချက်အရ။ဖော်ပြချက် အဆိုပါ Crucibles များတွင် အသုံးပြုသော ဂရပ်ဖိုက်ကို အများအားဖြင့် ပြုလုပ်သည်...
-
High Purity Sic Silicon Carbide Crucible Graphi...
Silicon Carbide Crucible Performance Parameter ဒေတာ ကန့်သတ်ချက်များ Data SiC ≥85% Cold Crushing Strength ≥100MPa SiO₂ ≤10% Apparent Porosity ≤%18 Fe₂O₃ <1% Temperature Resistance ≥1700°C Bulk Density ≥2.60 g/cm ဖောက်သည် လိုအပ်ချက်အရ ထုတ်လုပ်နိုင်သည် အထူးကောင်းမွန်သော အပူကူးယူနိုင်မှု--- အထူးကောင်းမွန်သော အပူရှိန်...
